SJ 20868-2003 电荷耦合成像器件测试方法

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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5980 SJ 20868—2003,电荷耦合成像器件测试方法,Measuring methods for charge coupled imaging device,2003T 27 5 发布2004-03-01 实施,中华人民共和国信息产业部 批准,SJ 2086J2003,前言卜#,目 次,1,2,3,4,5,范围,引用文件…,术语和定义,一般要求…,详细要求…,ヤ*Q テ、*,*キ,丒4,f > * +,4 4,方法1001,方法1002,方法1003,方法1004,方法1005,方法1006,方法1007,方法1008,方法1009,方法1010,方法1011,方法1012,方法1013,方法1014,暗信号.,暗信号非均匀性.,噪声电压均方根值..,输出信号 ..,饱和输出信号,单色灵敏度(积分灵敏度),阈照度…,4,*,光响应非均匀性(响应非线性)?,光敏面疵点数.,动态范围..,平均暗电流密度.,抗晕性能,转移效率,光谱响应范围丒,4 4 V 4 1 >,キ丒,* ,4,-II,……1,……1,……1,……2,.. 3,……4,……6,……7,.. 9,-10,-11,丒 …12,- 13,- 14,…15,-16,…17,…18,19,丒一丒 .,SJ 20868—2003,刖 百,本标准由信息产业部提出事,本标准由信息产业部电子第四硏究所归ロ.,本标准起草单位?中国电子科技集团公司第四十四研究所,本标准主要起草人:姚鸿、周旭东、张坤キ,SJ 20868—2003,电荷耦合成像器件测试方法,范围,本标准规定了光谱范围为350皿.1100 nm的线阵和面阵电荷耦合成像器件(以下简称器件)的,参数测试方法,2引用文件 、ー……『”メ…,下列文件中的有关条款通过引用而成为本标准的条款「凡注日期或版次的引用文件,其后的任何,修改单(不包括勘误的内容)或修订版本都不适用于本标准,但提倡使用本标准的各方探讨使用其最新,版本的可能性.凡不注日期或版次的引用文件,其最新版本盅用于本标准。、,GBZT2421—1999「电エ电子产品环境试验 第1部份:总则 ;,3术语和定义 X 丒 一 .1: :,下列术语和定义适用于本标准, \ ス ー 」 $,3.1 电荷耦合成像器件 charge coup I ed imaging device,利用光注入少数载流子作为信号电荷,通过冢动脉冲实现信号电荷的存储与转移从而实现光电信号,转换与检测的器件厂, :‘ 不 ! rq I,3.2 暗信号 dark-signaい 1 1つ;,在正常工作状态下,在无任何输入信号时器件积分像元的输出电压总或电流I0,森为暗信号, ー ー ーーハ.一上……. .\ ニ テナ丒‘再,暗信号非均匀性 dark signal non^uniformity,在无任何输入宿号时,器件输出信号各有效像元输出电压均方根偏差与平均输出电压的百分比,噪声电压均方根值ンroot-mean-square deviation of noise voltage,在规定频带中,器件暗信号输出的瞬时变动均方根值,3.5 输岀信号 output signal ///,在规定光照下或规定电脉冲注入下,由势阱电荷包产生出来的を效输出信号。可用电压匕或电流,〇表示。 ,「下二.—二Lヽ?エレニ/,3. 6 饱和输出信号 saturate output signal: Tj7:0 ’ “,ド 」,由满阱电荷包产生出来的最大有'效输出宿号;可用‘电压Mざ或电流&表示,3.フ 单色灵敏度 single-color sensitivity,积分灵敏度 i ntegra 1 sens it ivity,在一定波长的光照下,器件输出信号的变化量与引起其变化的照度或曝光量的变化量之比,3. 8 阈照度 i 11uminat ion threshoId,在规定光谱范围内,器件输出达到规定信噪比所需的最小照度,3.9 光响应非均匀性 I ight response non'uniformity,响应非线性 response non-l inear,在均匀光照下,器件处于半饱和输出时,输出信号各有效像元输出电压均方根偏差与平均输岀电压,的百分比,3. 10 光敏面疵点数 defect number of rensor area,器件在规定条件及半饱和均匀光照下,偏离像元平均输出电压值一定范围的像元数目O,SJ 20868—2003,3. 1j 动态范围 dynamic range,器件光敏面在均匀光照条件下,最大饱和输出信号与无光照时的噪声电压均方根值之比,3- 12 平均暗电流密度 averge dark current density,器件在正常工作状态下,无光照时,像元单位面积的平均输出暗电流,3- 13 抗晕性能 antiblooming efficiency,光照射在器件上,在器件输出达到饱和临界点时,测出此时的光照度ゐ;增加光强至器件的图像,临近溢出时,测出此时的光照度瓦.瓦/后的值,即为器件的抗晕性能O,3 . 14 转移效率 transfer efficiency,信号电荷由前ー个电极下面转移到相邻的下ー个电极下面的部分与前ー电极下面的信号电荷之比,值,3.15相对光谱响应,器件在不同波长,relative spectra I response,相同光强度的单色光照射下的光谱响应Sイスノ与其最大值区之比值,3.16 光谱响应范围 spectral response range,相对光谱响应不小于(M或按规定……

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